RAM Speicher PNY MD4GSD42666 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19
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Wenn Sie sich leidenschaftlich mit IT und Elektronik beschäftigen, mit der Technologie auf dem neuesten Stand sein wollen und nicht einmal die winzigsten Einzelheiten auslassen, kaufen Sie RAM Speicher PNY MD4GSD42666 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19.
- Technologie: DDR4
- Spannung:
- 1.2 V
- 1,2 V
- Art: Speicher (RAM)
- Latenzzeit: CL19
- Anschlüsse: DIMM
- RAM Speicher: 4 GB RAM
- Geschwindigkeit: 2666 MHz
- Kapazität:
- 40 g
- 4 GB
- Speicher Typ: DDR4
- Kompatibel: PC/Server
PNY Performance. Component for: PC / Server, Arbeitsspeicher (RAM): 4 GB, Memory layout (modules x size): 1 x 4 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, CAS Latenz: 19
- Arbeitsspeicher (RAM): 4 GB
- Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 4 GB
- Interner Speichertyp: DDR4
- Speichertaktfrequenz: 2666 MHz
- Component for: PC / Server
- CAS Latenz: 19
- Speicherkanäle: Single-channel
- Speicherspannung: 1.2 V
- Verpackungsart: Sichtverpackung
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